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Moras Albero, Miquel (Data de defensa: 2017-09-22)
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad ...
Aguilà Moliner, Pau (Data de defensa: 2017-03-10)
El sector de las radiocomunicaciones ha experimentado un drástico desarrollo estos últimos años. Entre ellos, los sistemas de comunicaciones inalámbricos han sufrido un gran crecimiento en la sociedad ...
Pasadas Cantos, Francisco (Data de defensa: 2017-05-26)
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del “Internet of Things”, han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca ...
Blasco Solans, Juli (Data de defensa: 2017-06-19)
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se ...
Maestro Izquierdo, Marcos (Data de defensa: 2017-06-22)
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que ...
Riverola Borreguero, Martín (Data de defensa: 2017-12-04)
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. ...
Berthold, Tobias (Data de defensa: 2017-07-17)
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. Como ...
Zhan, Zhen (Data de defensa: 2017-07-03)
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la ...
Wu, Qian (Data de defensa: 2017-01-18)
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar ...
Súchil Pérez, Oscar Gilberto (Data de defensa: 2017-05-15)
La caracterización de arreglos de micro hilos de óxido de Zinc (ZnO) se ha realizado con la finalidad de diseñar una batería experimental que utiliza la energía de deformación como fuente de energía. ...