Mostrando ítems 1-2 de 2
Porti i Pujal, Marc (Fecha de defensa: 2003-04-04)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura ...
Madrid Lozano, Francesc (Fecha de defensa: 2005-03-06)