Theoretical modelling of electrons and holes in semiconductor nanostructures

dc.contributor
Universitat Jaume I. Departament de Química Física i Analítica
dc.contributor.author
Royo Valls, Miquel
dc.date.accessioned
2020-06-11T07:34:09Z
dc.date.available
2020-06-11T07:34:09Z
dc.date.issued
2010-10-22
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/669140
dc.description.abstract
En esta tesis se utiliza la aproximación de masa efectiva y función envolvente para estudiar teóricamente las propiedades optoelectrónicas de una gran variedad de nanoestructuras semiconductoras, muchas de las cuales son obtenibles en un laboratorio a día de hoy. El primer capítulo de la tesis se centra en el estudio de los efectos derivados de aplicar campos magnéticos externos sobre varias nanoestructuras formadas por anillos cuánticos: dos anillos acoplados lateralmente y verticalmente, y una red periódica bidimensional de anillos. El segundo capítulo constituye la parte más extensa e importante de la tesis y estudia la influencia del entorno dieléctrico sobre las propiedades optoelectrónicas de nanocristales sintetizados mediante técnicas de química coloidal con forma esférica y alargada. Mediante cálculos multipartícula basados en las metodologías DFT y CI, se estudia el efecto del confinamiento dieléctrico sobre nanocristales poblados con un alto número de electrones o con pares electrón hueco. Finalmente, el último capítulo de la tesis se centra en el estudio de los estados multipartícula y las transiciones de fase a lo largo de un proceso en el que un nanocristal esférico es alargado hasta formar una estructura casi unidimensional.
en_US
dc.format.extent
244 p.
en_US
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.language.iso
eng
en_US
dc.publisher
Universitat Jaume I
dc.rights.license
ADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
semiconductores
en_US
dc.subject
propiedades ópticas
en_US
dc.subject
semiconductor nanostructures
en_US
dc.subject
electronic properties
en_US
dc.subject
holes
en_US
dc.subject
huecos
en_US
dc.subject.other
Ciències Experimentals
en_US
dc.title
Theoretical modelling of electrons and holes in semiconductor nanostructures
en_US
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.subject.udc
538.9
en_US
dc.contributor.director
Planelles Fuster, Josep
dc.contributor.codirector
Climente Plasencia, Joan Ignasi
dc.embargo.terms
cap
en_US
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess


Documents

2010_Tesis_Royo Valls_Miquel.pdf

4.917Mb PDF

This item appears in the following Collection(s)