Ara mostrant els elements 1-4 de 4
Ayala Cintas, Núria (Data de defensa: 2013-09-30)
Durant el treball de tesi s’ha permès ampliar una línia d’investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d’Enginyeria Electrònica de la Universitat ...
Porti i Pujal, Marc (Data de defensa: 2003-04-04)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura ...
Blasco Jiménez, Xavier (Data de defensa: 2005-07-19)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions ...
Velayudhan, Vikas (Data de defensa: 2016-11-28)
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas ...